本研究针对传统SnO2薄膜沉积工艺存在的低生长速率、高杂质含量及高温结晶难题，采用Sn(dmamp)2和H2O2的原子层沉积(ALD)技术，实现了高纯度、低电阻率SnO2薄膜的低温制备（200℃），生长速率达0.11-0.15 nm/cycle，并成功将其作为模板诱导金红石TiO2生长，使MIM电容器介 ...
针对SnO2胶体纳米颗粒易团聚导致电子传输层(ETL)缺陷的问题，泰国清迈大学团队创新性地将家用表面活性剂聚氧乙烯十三烷基醚(PTE)与碳纳米点共掺入SnO2胶体溶液，开发出单步沉积高质量ETL的简化工艺。该策略使器件在1000 lx低光条件下效率提升至32.29%，且ISOS-D1 ...
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